現(xiàn)在，三星宣布開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片，并將其命名為第8代V-NAND，方案能帶來(lái)2400MTps 的傳輸速度(對(duì)應(yīng)的SSD傳輸速度輕松超過(guò)12GBps)。

得益于存儲(chǔ)容量更大。V-NAND V8閃存的厚度依然可以控制在合理水平，封裝512GB容量也不超過(guò)0.8mm，可以用于新一代智能手機(jī)。

按照三星的表述，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，新一代3D NAND可提高提高20%的單晶生產(chǎn)率，從而進(jìn)一步降低了成本，這可能意味著大家有望買(mǎi)到同容量更便宜的固態(tài)硬盤(pán)。

在未來(lái)，三星的V-NAND閃存堆棧層數(shù)還會(huì)進(jìn)一步提升，路線圖中的目標(biāo)是超過(guò)500層，這被視為3D閃存的極限，不過(guò)三星還在想法突破，最終能制造1000層堆棧的3D閃存。

所以現(xiàn)在2TB 799便宜只是開(kāi)始，存儲(chǔ)廠商的內(nèi)卷才剛剛開(kāi)始...

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