三星今天(11月7日)宣布開始量產(chǎn)第8代V-NAND閃存芯片，堆到了236層。

上一代V-NAND其實(shí)只有176層，已經(jīng)用在了旗艦SSD固態(tài)盤990 PRO上。

關(guān)于第八代V-NAND，有兩點(diǎn)值得一說，一是三星介紹單芯片現(xiàn)在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒(3 bits/cell)。

其實(shí)，部分廠商在進(jìn)入到150+層的階段后，開始大肆制造更具成本效益的QLC顆粒，好在這次堅(jiān)守住了底線。

據(jù)悉，第8代V-NAND閃存芯片采用Toggle DDR5內(nèi)部接口，傳輸速度2400Mbps，未來用于PCIe 5.0固態(tài)盤上，典型速度將能達(dá)到12.4GB/s。

因?yàn)樯a(chǎn)效率提升20%，最終的SSD成品模組也有望更便宜。稍稍遺憾的是，三星這次并沒有透露商用產(chǎn)品何時(shí)首發(fā)。

關(guān)鍵詞： 三星宣布 生產(chǎn)效率提升20% SSD成品模組 閃存芯片